正所謂十里花開遍地香......額....（忘詞了）..

好吧，正所謂帶你裝逼帶你飛，帶你杵進垃圾堆。

繼續上一篇講cpu，今天我們來扯一扯cpu集成電路工藝制造。

簡單來說就是更先進的工藝能夠提升單位面積下晶體管的數量，提升晶體管的性能，從而實現提升芯片的整體性能。同時通過更先進的制程工藝能夠達到降低漏電率降低功耗減少發熱的效果。總而言之就是更先進的制程能在同樣的功耗下達到更高的性能，在同等的性能條件下有著更好的功耗控制。

以（三星）14nm FinFET LPP工藝舉例，首先拆開來看，14nm是什么意思？納米呢就是單位嘛，一毫米等于一百萬納米......行了，本期就說這么多，大家可以退出了。

說了結束了，你還看？

14nm處理器的意思呢就是說“采用14nm制程。”制程工藝又是指IC內電路與電路之間的距離。制程工藝的趨勢是向密集度越來越高的方向發展。密度越高的IC電路設計，意味著在同樣大小面積的IC中，可以擁有密度更高、功能更復雜的電路設計。（廢話....）微電子技術的發展與進步，主要是靠工藝技術的不斷改進，使得器件的特征尺寸不斷縮小，從而集成度不斷提高，功耗降低，器件性能得到提高。芯片制造工藝在1995年以后，從0.5微米、0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.15微米、0.13微米、90納米、65納米、45納米、32納米、22納米一直發展到目前最新的14納米（厲害吧）。

而FinFET呢就是鰭式場效晶體管(FinField-EffectTransistor;)FinFET是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。閘長可以小于25奈米。這項技術的發明者是加州大學伯克利分校的胡正明教授。Fin是魚鰭的意思，FinFET命名根據晶體管的形狀與魚鰭的相似性。FinFET是一項創新設計。在傳統晶體管結構中，控制電流通過的閘門，只能在閘門的一側控制電路的接通與斷開，屬于平面的架構。在FinFET的架構中，閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構，可于電路的兩側控制電路的接通與斷開。這種設計可以大幅改善電路控制并減少漏電流(leakage)，也可以大幅縮短晶體管的閘長。

簡單來說就是把原本2D構造改為3D的，因為構造很像魚鰭，因此稱為“鰭式（Fin）”。

最后的LPP就是LPE（Low-Power Early，早期低功功耗制程）的改進版，（Low-Power Plus，高級低功耗制程），從名字上就可以看出哪一帶更先進啦，所以在選擇手機的時候你是要選LPP呢還是LPE？

這次是真的結束了...

歡迎大家踴躍評論，罵我也行啊，我心寬著呢，但是最好還是附帶一點你的建議哦。

咱們下次見。